WO2001070882A1

WO2001070882A1 - Composition polycarbonate aromatique

Info

Publication number: WO2001070882A1
Application number: PCT/JP2000/001745
Authority: WO
Inventors: Wataru Funakoshi; Masumi Hirata; Hiroaki Kaneko; Yuichi Kageyama; Toru Sawaki; Katsushi Sasaki
Original assignee: Teijin Limited
Priority date: 2000-03-22
Filing date: 2000-03-22
Publication date: 2001-09-27
Also published as: EP1191064B1; WO2001070883A1; DE60024625D1; CN1351632A; DE60024625T2; KR20020006047A; CN1175047C; ES2252044T3; ATE312143T1; EP1191064A4; EP1191064A1; US6448365B1

Description

明細書芳香族ポリカーボネート組成物技術分野

本発明は芳香族ポリカーポネ一ト組成物およびその射出成形品に関する。さらに詳しくは、透明性、色相安定性、成形時の滞留安定性に優れた芳香族ポリ力一ポネ一ト組成物およびその射出成形品に関する。

従来の技術

ポリカーボネート樹脂は、光学特性、電気特性、寸法安定性に優れ、自己消火性を有し、耐衝撃性、破断強度などの機械的特性に優れ、しかも耐熱性、透明性などにも優れた性質を持っており、このため広範な用途に、大量に使用されている。とりわけその透明性を生かし、レンズ、プリズム、光ディスク、シート、フイルム等に大量に使用されている。

特にレンズや光ディスクのような光学樹用途においては、成形品に対し優れた透明性および色相が要求される。具体的には樹脂組成物の成形時の滞留安定性、とりわけ滞留時の熱安定性、色相安定性が、さらに成形時における成形性、すなわち設計どおりの形状、寸法の精密成形品を与える転写性、離型性等が、さらには成形品の湿熱耐久性などの環境安定性などが要求される。

ポリ力一ポネート樹脂組成物の成形品を製造する場合、脂肪酸エステル系の離型剤が従来好適に使用されている。この離型剤は、特にディスク等の精密成形品を成形する場合、通常、金型と成形品の離型性向上に効果が大きく、また成形品の色相、透明性、表面性等の物性の低下を低く抑える。しかしながら脂肪酸エステル系化合物の特徴として、離型性は比較的良好な反面、耐熱性が低ぐ熱飾しゃすい傾向がある。

特に脂肪酸エステル系離型剤は、酸性あるいは塩基性化合物あるいは金属化合物の存在下、ポリカーボネート樹脂の成形温度、特に 3 4 0 °Cを超えた温度で、分解を起こして離型能が低下したり、あるいは激しい場合は成形品の着色を引き起こしたりして成形金型を汚染する問題点を含んでいる。

ポリカーボネート樹脂の製造方法としては、芳香族ジヒドロキシ化合物にホスゲンを直接反応させる方法（界面重合法）、あるいは芳香族ジヒドロキシ化合物とジフエ二ルカ一ポネートなどのジァリルカーボネートとを溶融状態でエステル交換反応（溶融法）させる方法などが知られている。

界面重合法ポリ力一ポネート樹脂においては、上記問題を解決するため、ポリ力一ポネート樹脂に各種精製処理を施し、樹脂中の不純物を減少せしめるとともに、各種安定剤を併用し、上記離型剤の分解をある程度減少せしめることに成功している。

しかしながら近年新規規格の DVDディスクの出現により、従来より高温の 3 5 0 °Cあるいはそれ以上の温度条件下での基板成形が必要になり、基板成形時の離型剤あるいは樹脂組成物の分解、着色が新たな問題となってきている。

エステル交換反応による溶融法ポリ力一ポネート製造法では、製造効率を上げるため、「プラスチック材料講座 1 7 ポリ力一ポネート」（4 8〜5 3頁）等の文献に記載のように通常エステル交換触媒を使用する。これらエステル交換触媒の内で、含窒素塩基性化合物あるいは含リン塩基性化合物とアル力リ金属化合物とを併用する触媒系は、ポリカーボネート樹脂の生産性、色調を良好とし、ポリマー分子中に分岐構造を生成することも少なくて流動性等の品質が良好でありまたゲル等の異物の生成も少なく好ましいといえる。

しかしながら溶融重合法ポリカーボネー卜樹脂は、エステル交換触媒として使用するアルカリ金属化合物あるいは各種添加剤に由来する副反応活性能のため、高温雰囲気、酸ィ匕的雰囲気あるいは加水分解的条件下で安定性が不十分である。それに加え、精密成形用助剤として添加される離型剤が上記分解等を引き起こすため、界面重合法ポリカーボネート樹脂あるいはこの樹脂組成物に比較し離型剤が本来の能力を発揮し得ない場合が顕著に発生する問題がある。

これらの問題を解決するため、特開平 4 - 3 2 8 1 2 4号公報および特開平 4 ' - 3 2 8 1 5 6号公報には、スルホン酸エステルを含む酸性化合物でエステル交換触媒を中和する方法が提案されている。また特開平 8— 5 9 9 7 5号公報には、スルホン酸ホスホニゥム塩と、亜リン酸エステル系ィ匕合物あるいはフェノ一ル系抗酸化剤を併用する提案がなされている。

さらに、特開平 4— 3 6 3 4 6号公報には、芳香族系有機二水酸基化合物と炭酸ジエステルとを、含窒素塩基性化合物（a) とアルカリ金属化合物もしくはァルカリ土類金属化合物（b) を含む触媒系または上記（a) 、 (b) とホウ酸もしくはホウ酸エステルを含む触媒系を用いて、溶融状態でエステル交換反応させることにより製造される芳香族ポリカーボネート樹脂 1 0 0重量部並びにリン系酸化防止剤 0 . 0 0 5〜 0. 5重量部を含有する芳香族ポリカーボネー卜系樹脂組成物が開示されている。

かかる対策を講じた溶融重合法ポリカーポネ一ト樹脂においても、脂肪酸エス' テル系離型剤を使用して精密成形品を成形すると、離型剤が^^等の副反応を起こして期待される離型性能が十分に発揮されず、成形品の変形、さらには成形品の着色、および成形機の金型表面の汚れをはなはだしくする問題が多い。特に D VD基板成形に必要な、高温条件下においてはこの傾向がはなはだしい。かかる欠点は、光ディスク等精密成形品の成形時には例えばグループ、ピット等の転写不良の原因となる重大欠点となる。

発明の開示

本発明の目的は、溶融成形時の安定性の良好な芳香族ポリカーボネート組成物を提供することにある。

本発明の他の目的は、溶融成形時の安定性、特に溶融成形時の分解着色、分子量低下あるいは黒色異物の生成を抑えた芳香族ポリ力一ポネート組成物を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、金型成形において金汚染が少なくそして金型からの離型性も良好な芳香族ポリカーボネート組成物を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、精密成形に好適で成形操作効率が良好な芳香族ポリ力一ポネ一ト組成物を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、本発明の芳香族ポリ力一ポネート組成物からなる成形品特に、射出成形品を提供することにある。

本発明のさらに他の目的および利点は以下の説明から明らかになろう。

本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第 1に、

(A) . (1) . 下記式（1)

ここで、 R R²、 R³および R⁴は互いに独立に水素原子、炭素数 1〜 10のアルキル基、炭素数 6〜： L 0のァリール基または炭素数 7〜： L 0 のァラルキル基でありそして Wは炭素数 1〜6のアルキレン基、炭素数

2〜10のアルキリデン基、炭素数 6〜10のシクロアルキレン基、炭素数 6〜10のシクロアルキリデン基、炭素数 8〜15のアルキレン— ァリーレン一アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基またはスルホン基である、

で表される繰返し単位から主としてなり、

(2) . 粘度平均分子量が 12， 000〜 100， 000であり、

(3) .分子末端 OH基濃度が 3〜 80当量 Z t o n—ポリカーボネート樹脂（以 Te q/t o n) であり、

(4) . 結合リン原子が 0. 05〜65ppmである、

芳香族ポリカーボネ一ト 100重量部および

(B) , »Ρ (Π) 化合物対遊離 P (V) ィ匕合物が下記式

0. 1≤P (V) ≤3XP (1) °· ⁷+2X (OH) 。· ²

ここで、 P (V) は？ (V)化合物のリン原子としての重量基準の含量 ( pm) であり、 P (ΠΙ) は P (ΙΠ) 化合物のリン原子としての重量基準の含量 (p m) であり、そして OHは分子末端〇H濃度 (e a t on) である、

を満足する遊離 P (!) 化合物と遊離 P (V) 化合物の組合せであり、合計量が P原子として 5X 10— ⁶〜6. 5X10— ³重量部であり (C) . 3 0 0 °Cにおける溶融粘度変化率が 0 . 5 %以下である芳香族ポリ力一ポネ一ト組成物によっ達成される。

また、本発明の上記目的および利点は、第 2に、本発明の上記芳香族ポリ力一ポネート組成物によって達成される。

発明の実施態様

本発明で用いられる芳香族ポリ力一ポネ一トは、下記式 ( 1 ) …（ 1 )

ここで、 R R ²、 R ³および R ⁴は互いに独立に水素原子、炭素数 1〜

1 0のアルキル基、炭素数 6〜 1 0のァリ一ル基または炭素数 7 ~ 1 0 のァラルキル基でありそして Wは炭素数；！〜 1 0のアルキレン基、炭素数 2〜1 0のアルキリデン基、炭素数 6〜1 0のシクロアルキレン基、炭素数 6〜1 0のシクロアルキリデン基、炭素数 8〜1 5のアルキレン —ァリ一レン—アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基またはスルホン基である、

で表される繰返し単位から主としてなる。

上記式 ( 1 ) 中、 R R ²、： ³および R⁴は互いに独立に上記定義のとおりの原子または基'である。

炭素数:！〜 1 0のアルキル基は直鎖状であっても分状であってもよい。その例としては、メチル、ェチル、プロピル、ブチル、ォクチル、デシル等を挙げることができる。炭素数 6〜1 0のァリール基としては、例えばフエニル、トリル、クミル、ナフチル等を挙げることができる。炭素数 7〜1 0のァラルキル基としては、例えばベンジル、 2—フエネチル、 2—メチル、 2—フエニルェチル等を挙げることができる。

R ¹, R ²、 R ³および R⁴としては、互いに独立に、水素原子、メチル基および t—ブチル基が好ましく、水素原子が特に好ましい。

また、 Wの定義も上記のとおりである。炭素数 1〜 10のアルキレン基は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。その例としては、メチレン、 1， 2—エチレン、 2， 2—プロピレン、 2， 2— ブチレン、 1， 1—デシレン等を挙げることができる。

炭素数 2〜10のアルキリデン基としては、例えばェチリデン、プロピリデン、ブチリデン、ヘシリデン等を挙げることができる。

炭素数 6〜10のシクロアルキレン基としては、例えば 1, 4ーシクロへキシレン、 2—イソプロピル一 1， 4ーシクロへキシレン等を挙げることができる。

0のシクロアルキリデン基としては、例えばシクロへキシリデン、

'リデン等を挙げることができる。

炭素数 8〜15のアルキレン—ァリーレン一アルキレン基としては、例えば m —ジィソプロピルフエ二レン基などが挙げられる。

Wとしては、シクロへキシリデン基、 2， 2—プロピリデン基が好ましく、 2, 2 -プロピリデン基が特に好ましい。

芳香族ポリカーボネートは、上記式 (1) で表される繰返し単位を全繰返し単位に基づき 50モル％以上、好ましくは 70モル％以上、特に好ましくは 80モル％以上で含有する。上記式 (1) で表される繰返し単位以外の、場合により含有されていてもよい繰返し単位は以下の説明から当業者は理解されるであろう。本発明で用いられる芳香族ポリカーボネートは、さらに粘度平均分子量が 12， 000〜100, 000であり、好ましくは 13， 000〜： L 00, 000であり、より好ましくは 13， 000〜70， 000である。

本発明で用いられる芳香族ポリカーボネートは、また肝末端〇H基濃度が 3 〜80 e dZt onであり、好ましくは 5〜70 e t o nであり、より好ましくは 10〜50ed/t onである。

本発明で用いられる芳香族ポリ力一ポネートは、さらに加えて、結合リン原子すなわち重合体鎖に結合しているリン原子を 0. 05〜65ppm (重量基準）、好ましくは 0. 05〜50 p pm、より好ましくは 0. 05〜30ppmで含有する。

また、本発明で用いられる上記芳香族ポリ力一ポネートは好ましくは 0〜2 e Q/t onの酸価を有する。その重合平均分子量 (Mw) と数平均分子量 (Mn) の比（Mw/Mn) は、好ましくは 2. 0〜3. 6であり、より好ましくは 2. 2〜3. 4である。

本発明で用いられるかかる芳香族ポリカーボネートは、芳香族ジヒドロキシ化合物とカーボネート結合形成性化合物とより界面重合法等のホスゲン法、あるいは溶融重合法、固相重合法等、従来公知の方法で好ましく製造することができる。かかる芳香族ジヒドロキシ化合物としては、下記式 (2) に示される化合物が好ましく使用できる。

ここで、 R¹ R²、 R³、 R ⁴およぴの定義は上記式 (1) に同じである。このような芳香族ジヒドロキシ化合物（2) としては、具体的にはビス（4一ヒドロキシフエニル）メタン、 2， 2—ビス（4ーヒドロキシフエニル）プロパン、 1， 1一ビス（4—ヒドロキシフエニル）ェタン、 2， 2—ビス（4—ヒドロキシ一 3—メチルフエニル）プロパン、 2， 2—ビス（4—ヒドロキシフエ二ル）ヘプタン、 2, 2—ビス（4—ヒドロキシ一 3， 5—ジクロ口フエニル）プ口パン、ビス（4ーヒドロキシフエ二ゾレ）フエ ^レメタン、 4， 4' —ジヒドロキシフエ二ルー 1， 1' —m—ジイソプロピルベンゼン、 4， 4' ージヒドロキシフエ二ルー 9， 9ーフノレオレンなどのビス（4—ヒドロキシァリール）アル力ン類； .

1， 1—ビス（4ーヒドロキシフエニル）シクロペンタン、 1， 1—ビス（4 ーヒドロキシフエニル）シクロへキサン、 1—メチルー 1一（4—ヒドロキシフェニル） —4一（ジメチル一 4—ヒドロキシフエニル）メチルーシクロへキサン、 4一 [1一〔3— （4ーヒドロキシフエニル）一4—メチルシクロへキシル〕一 1—ネチルェチル] 一フエノール、 4， 4，一〔1ーメチルー 4一（1—メチルェチル） _1， 3—シクロへキサンジィル〕ビスフエノール、 2， 2, 2，， 2' ーテトラヒドロ一 3， 3, 3' , 3' ーテトラメチリレー 1, —スピロビス一〔1 H—インデン〕一6 , 6，一ジォ一ルなどのビス（ヒドロキシァリール）シクロァリレカン類；

ビス（4—ヒドロキシフエニル）ェ一テル、ビス（4—ヒドロキシ一 3 , 5— ジクロロフエニル）エーテル、 4， 4 ' ージヒドロキシ一 3 , 3， —ジメチルフェニルエーテルなどのジヒドロキシァリ一ルェ一テル類；

4, 4 ' ージヒドロキシジフエニルスルフイド、 4， 4， —ジヒドロキシ一 3， 3 ' —ジメチルジフエニルスルフィドなどのジヒドロキシジァリ一ルスルフィド類；

4， 4 ' —ジヒドロキシジフエニルスルホキシド、 4， 4， —ジヒドロキシ— 3 , 3 ' —ジメチルジフエニルスルホキシドなどのジヒドロキシジァリ一ルスルホキシド類；

4， 4 ' —ジヒドロキシジフエニルスルホン、 4， 4 ' —ジヒドロキシ一 3， 3 '—ジメチルジフエニルスルホン、などのジヒドロキシジァリ一ルスルホン類；

4， 4 ' ージヒドロキシジフエ二ルー 3 , 3 ' —ィサチンなどのジヒドロキシジァリールィサチン類；

3， 6—ジヒドロキシー 9， 9ージメチルキサンテンなどのジヒドロキシジァリ一ルキサンテン類；

レゾリレシン、 5—メチルレゾルシン、 5—ェチルレゾルシン、 5— t—ブチレレゾルシン、 5—フエ二ルレゾルシン、 5—クミルレゾルシン、ヒドロキノン、 2—メチルヒドロキノン、 2—ェチルヒドロキノン、 2— t—ブチルヒドロキノン、 2—フエニルヒドロキノン、 2—クミルヒドロキノンなどのジヒドロキシべンゼン類；および

4, 4，ージヒドロキシジフエニル、 3， 3， —ジクロ口— 4， 4，一ジヒド口キシジフエニル等ジヒドロキシジフエニル類が挙げられる。

中でも 2， 2—ビス（4ーヒドロキシフエニル）プロパンがモノマ一としての安定性、さらにはそれに含まれる不純物の量が少ないものとしての入手が容易であることなどから好ましいものとして挙げられる。

本発明において、芳香族ポリカーボネート分子中には、ガラス転移温度の制御、あるいは流動性の向上、あるいは、屈折率のアップ、あるいは複屈折の低減等の光学的性質の制御を目的として各種モノマーを必要に応じて、 1種あるいは 2種以上含有させることができる。

これらの具体例としては、例えばエチレングリコール、 1 , 4一ブタンジォール、 1， 4—シクロへキサンジメタノール、 2 , 2—ジメチルー 1， 3—プロパンジオール、 1， 1 0—デカンジオール、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレングリコールのごとき脂肪族ジヒドロキシ化合物；コハク酸、イソフタル酸、 2， 6—ナフ夕レンジカルボン酸、アジピン酸、シクロへキサンジカルボン酸、テレフタル酸のごときジカルボン酸；あるいは p —ヒドロキシ安息香酸、 6—ヒドロキシー 2—ナフトェ酸、乳酸のごとき才キシ酸が挙げられる。

カーボネート結合形成性化合物としては、ホスゲン法ではホスゲンなどのハロゲン化力ルポ二ル、ハロホーメート化合物が用いられる。

またカーボネート結合形成性化合物として、溶融重合法では具体的にはジフエ二ルカ一ポネート、ジトリル力一ポネート、ビス（2—クロ口フエニル）カーボネート、 m—クレジルカ一ポネートのごとき芳香族炭酸エステルが用いられる。その他ジメチルカーボネート、ジブチルカ一ポネート、ジシクロへキシルカ一ポネート等も所望により使用できる。

これらのうちジフエニルカーボネートが、反応性、得られる樹脂の着色に対する安定性、さらにはコストの点からしても、特に好ましい。

固相重合法では、上述のホスゲン法または溶融重合法で製造される分子量の小さな芳香族カーボネートオリゴマーを、結晶化させ、高温において、さらには所望により減圧下、固体状態で重合を進めることにより、（1 ) 式で示される繰返し単位構造を有する芳香族ポリカーボネートとすることができる。

また上記の芳香族ポリ力一ポネートの製造方法において、ホスゲンまたは炭酸ジエステルとともにジカルボン酸あるいはジカルポン酸ハライド、ジカルボン酸エステルのごときジカルボン酸誘導体を使用することにより芳香族ポリエステルカーボネートを製造することができる。このような芳香族ポリエステルカーボネートも、本発明における芳香族ポリカーポネ一トとして使用することができる。かかるジカルボン酸あるいはジカルボン酸誘導体としては、例えばテレフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸クロリド、テレフタル酸ジフエニル、イソフタル酸ジフエニルなどの芳香族ジカルボン酸類；

コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、スベリン酸、ァゼライン酸、セバシン酸、デカン二酸、ドデカン二酸、アジピン酸クロリド、スベリン酸クロリド、ァゼライン酸クロリド、セパシン酸クロリド、ァゼライン酸ジフエニル、セパシン酸ジフエニル、デカンニ酸ジフエニル、ドデカンニ酸ジフエニル、などの脂肪族ジカルボン酸類； '

シクロプロパンジカルボン酸、 1 , 3—シクロブタンジカルボン酸、 1 , 3— シクロペンタンジカルボン酸、 1， 3—シクロへキサンジカルボン酸、 1 , 4— シクロへキサンジカルポン酸；

シクロプロパンジカルボン酸クロリド、 1， 3—シクロブタンジカルボン酸ク口リド、 1， 3—シクロペンタンジカルボン酸クロリド、 1， 3—シクロへキサンジカルボン酸クロリド、 1， 4ーシクロへキサンジカルボン酸クロリド；シクロプロパンジカルポン酸ジフエニル、 1 , 3—シクロブタンジカルボン酸ジフエニル、 1， 3—シクロペン夕ンジカルポン酸ジフエニル、 1， 3—シクロへキサンジカルポン酸ジフエニル、 1 , 4—シクロへキサンジカルポン酸ジフエニルなどの脂環式ジカルボン酸類を挙げることができる。

また上記式 ( 1 ) で表される繰返し単位構造を有する芳香族ポリカーボネートを製造するとき、上記ジヒドロキシ化合物とともに、一分子中に 3個以上の官能基を有する多官能化合物を併用することもできる。このような多官能化合物としてはフェノ一ル性水酸基またはカルボキシル基を有する化合物が好ましく使用される。

具体的には例えば 1， 1 , 1ートリス（4—ヒドロキシフエニル）ェタン、 2 , 2 ' , 2 "ートリス（4—ヒドロキシフエニル）一 m—ジイソプロピルベンゼン、 2 , 2 ' , 2 " —トリス（4—ヒドロキシフエニル）一 p—ジイソプロピルベンゼン、 α—メチル一ひ， , α " —トリス（4ーヒドロキシフエニル）一 1， 4—ジェチルベンゼン、 a, , α" —トリス（4ーヒドロキシフエニル） ― 1， 3, 5—トリイソプロピルベンゼン、フロログルシン、 4, 6—ジメチル一 2， 4, 6—トリス（4ーヒドロキシフエニル）一ヘプタン、 1, .3, 5—トリス（4—ヒドロキシフエニル）ベンゼン、 2, 2—ビス〔4， 4一（4—ヒドロキシフエニル）ーシクロへキシル〕一プロパン、トリメリット酸、 1, 3， 5— トリカルポキシベンゼン、ピロメリット酸などが挙げられる。

これらのうち 1， 1, 1—トリス（4—ヒドロキシフエニル）ェタン、ひ， , a" —トリス（4—ヒドロキシフエニル）一1， 3， 5—トリイソプロピルベンゼンなどが好ましく使用できる。

多官肯 g化合物を併用するとき、例えばポリカーボネートの溶融粘度をあげる目的では、多官能化合物を、芳香族ジヒドロキシ化合物に 1モルに対して 0. 03 モル以下、好ましくは 0. 00005〜0. 02モル、さらに好ましくは 0. 0 001〜0. 01モルの範囲で使用するのが好ましい。

本発明において、上記芳香族ポリカーボネートは、分子末端水酸基濃度が 3〜 80 e q/t onであるものである。ホスゲン法による芳香族ポリ力一ポネートにおいては、量調節剤として加えられる単官能性化合物により分子末端が封止され、肝末端水酸基濃度が 3〜20 e d/t onと少ない芳香族ポリ力一ポネートが容易に製造されるが、溶融重合法あるいは固相重合法においては、積極的に分子末端水酸基濃度を減少させる必要がある。

末端水酸基濃度は、好ましくは S i O e ciZt onであり、さらに好ましくは 3〜60 e ciZt onである。

分子末端水酸基濃度を上記範囲内にするには、ホスゲン法においては分子量調節剤として使用される末端封止剤により容易に上記範囲内に収めることができるが、反応プロセスの特徵上、末端水酸基が多く生成する溶融重合法あるいは固相重合法においては、特別に末端水酸基濃度を減少させる策を講じる必要がある。例えば、以下記述する従来公知の方法で達成しうる。

1 ) 重合原料仕込みモル比制御法；重合反応仕込み時の力一ポネ一ト結合形成性化合物 z芳香族ジヒドロキシ化合物のモル比を高める。例えば重合反応装置の特長を考慮して、このモル比を 1 . 0 3から 1 . 1 0の間に設定する。あるいは 2 ) 末端封止法；重合反応終了時点において、例えば米国特許第 5 6 9 6 2 2 2号明細書に記載の方法に従い、サリチル酸エステル系化合物により末端水酸基を封止することにより達成される。サリチル酸エステル系化合物の使用量は封止反応前の末端水酸基、 1化学当量当り、好ましくは 0 . 8〜： L 0モル、より好ましくは 0 . 8〜5モル、特に好ましくは 0. 9〜 2モルの範囲である。かかる量比で添加することにより、末端水酸基の 8 0 %以上を好適に封止することができる。また本封止反応を行う時、上記特許明細書に記載の触媒を使用するのが好ましい。

これらサリチル酸エステル系化合物としては具体的には、 2—メトキシカルポニルフエニル—フエ二ルカ一ポネート、 2—メトキシカルボニルフエ二ルー 4 ' —へキサデシルフェニルカ一ポネート、 2—メトキシカルボエルフェ二ルーシク口へキシゾレフエ二ルカ一ボネ一ト、 2—メトキシカルボエルフェ二ルークミルフェニルカーボネート、ジ（2—メトキシカルボニルフエニル）カーボネートのごとき 2—メトキシカルボニルフエニルァリール力一ポネ一ト類；

2—メトキシカルボニルフエ二ルーセチルカ一ポネート、 2—メトキシカルポニルフエニル— 2 ' - (o—メトキシカルボニルフエニル）ォキシ力ルポニルェチルカーボネートのごとき 2—メトキシカルボニルフエ二ルーアルキル力一ポネ一卜類；

2—エトキシカルポニルフエ二ルーフエ二ルカーポネート、ジ（2—エトキシカルポニルフエニル）カーボネートのごとき 2—エトキシカルポニルフエニル— ァリールカーボネート類；

2—ェトキシカルポニルフエ二ルーメチルカ一ポネー卜のごとき 2—ェトキシカルポニルフエニル—アルキルカーボネート類；

( 2—メトキシカルボニルフエニル）ベンゾェ一ト、 4— ( 0—エトキシカルポニルフエニル）ォキシカルポニル安息香酸（2，ーメトキシカルボニルフエ二ル）エステルのごとき、芳香族カルボン酸の（2 ' —メトキシカルポニルフエ二ル）エステル； ( 2一エトキシカルボニルフエニル）ベンゾエートのごとき芳香族カルボン酸の（2 ' —エトキシカルポニルフエニル）エステル；

( 2—メトキシカルポニルフエニル) ステアレート、ビス ( 2—メトキシカルポニルフエニル)サクシネートのごとき脂!^カルボン酸エステルが挙げられる。繰返し単位が上記（1 ) で表される芳香族ポリカーボネートを製造する方法において、前述したホスゲン法では、触媒として 3級ァミン、 4級アンモニゥム塩、 3級ホスフィン、 4級ホスホニゥム塩、含窒素複素環化合物またはその塩、イミノエーテルまたはその塩あるいはアミド基を有する化合物などが使用される。このホスゲン法では反応の際生じる塩酸などのハロゲン化水素の捕捉剤として多量のアル力リ金属化合物あるいはアル力リ土類金属化合物が使用されるので、製造後のポリマ一中に、こうした不純物が残留しないように十分な洗浄、精製をすることが好ましい。

溶融重合法、固相重合法では、触媒としては、アルカリ金属化合物またはアル力リ土類金属化合物を含有するエステル交換触媒が好ましく使用される。触媒として使用されるアルカリ金属化合物またはアルカリ土類金属化合物は、芳香族ジヒドロキシ化合物、 1モルに対し、金属元素として 1 X 1 0— ⁸〜： L X 1 0—⁶当量の範囲で使用される。上記範囲を逸脱すると、得られる芳香族ポリカーボネートの諸物性に悪影響をおよぼしたり、またエステル交換反応が十分に進行せず、高分子量の芳香族ポリカーボネ一トが得られない等の問題の起こることがあり、好ましくない。エステル交換触媒としてはアルカリ金属化合物が好ましい。

芳香族ポリカーボネート中のエステル交換触媒由来のアルカリ金属またはアル力リ土類金属元素量をかかる量範囲において使用することにより芳香族ポリカーポネ一トの製造を効率的に生産性よく実施しうるとともに得られる芳香族ポリ力ーポネートの物性も本発明の目的を達成するために好ましいものとなる。

エステル交換触媒として使用されるアルカリ金属化合物としては、例えばアルカリ金属の水酸化物、炭化水素化合物、炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩、亜硝酸塩、亜硫酸塩、シアン酸塩、チォシアン酸塩、ステアリン酸塩、水素ィヒホウ素塩、安息香酸塩リン酸水素化物、ビスフエノ—ル、フエノ一ルの塩等が挙げられる。具体例としては水酸化ナトリウム、 7]酸化リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム、酢酸ナトリウム、酢酸リチウム、硝酸ルビジウム、亜硝酸ナトリウム、亜硝酸リチウム、亜硫酸ナトリウム、シアン酸ナトリウム、シアン酸カリウム、シアン酸リチウム、チォシアン酸ナトリウム、チォシアン酸カリウム、チォシアン酸セシウム、ステアリン酸ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム、水素化ホウ素リチウム、フエニル化ホウ素ナトリウム、安息香酸ナトリウム、安息香酸リチウム、リン酸水素ジナトリウム、ビスフエノール Aのジナトリウム塩、ジリチウム塩、モノナトリウム塩、モノカリウム塩、ナトリウムカリウム塩、ナトリウムリチウム塩、フエノールのナトリウム塩、リチウム塩などが挙げられる。

またエステル交換触媒として塩基性窒素化合物、およびまたは塩基性リン化合物を併用するのが好ましい。

これらのうち、塩基性窒素化合物の具体例としては、例えばテトラメチルアンモニゥムヒドロキシド（M e ₄N〇H) 、テトラェチルアンモニゥムヒドロキシド（E t ₄N〇H) 、テトラプチルアンモニゥムヒドロキシド（B u ₄NOH) 、ベンジルトリメチルアンモニゥムヒドロキシド（P h— CH₂ (M e) ₃N〇H) 、へキサデシルトリメチルアンモニゥムヒドロキシドなどのアルキル、ァリール、アルキルァリール基などを有するアンモニゥムヒドロキシド類；

テトラメチルァンモニゥムァセテート、テトラエチルァンモニゥムフエノキシド、テトラプチルアンモニゥム炭酸塩、ベンジルトリメチルアンモニゥム安息香酸塩、へキサデシルトリメチルアンモニゥムエトキシドなどのアルキル、ァリール、アルキルァリール基などを有する塩基性アンモニゥム塩；

トリェチルァミン、トリプチルァミン、ジメチルペンジルァミン、へキサデシルジメチルァミンなどの第 3級ァミン；

あるいはテトラメチルアンモニゥムポロハイドライド（M e ₄NBH₄) 、テトラブチルアンモニゥムポロハイドライド（B u ₄NBH₄) 、テトラプチルアンモ二ゥムテトラフエ二ルポレート（B u ₄NB P h ₄) 、テトラメチルアンモニゥムトラフエ二ルポレート（M e ₄NB P h ₄) などの塩基性塩などを挙げることがでさる。

また塩基性リン化合物の具体例としては、例えばテトラメチルホスホニゥムヒドロキシド（Me₄P〇H) 、テトラエチ^/ホスホニゥムヒドロキシド（E t₄P OH) 、テトラブチルホスホニゥムヒドロキシド（Bu₄POH) 、ベンジレトリメチルホスホニゥムヒドロキシド（Ph— CH₂ (Me) ₃P〇H) 、へキサデシルトリメチルホスホニゥムヒドロキシドなどのアルキル、ァリール、アルキルァリール基などを有するホスホニゥムヒドロキシド類、あるいはテトラメチルホスホニゥムポロハイドライド（Me₄PBH₄) 、テトラブチルホスホニゥムポロハイドライド（Bu₄PBH₄) 、テトラブチレホスホニゥムテトラフェニレポレ —ト（Bu₄PBPh₄) 、テトラメチルホスホニゥムトラフエ二ルポレート（M e₄PBPh₄) などの塩基性塩などを挙げることができる。

上記塩基性窒素化合物およびまたは塩基性リン化合物は、塩基性窒素原子あるいは塩基性リン原子が芳香族ジヒドロキシ化合物、 1モルに対し、 1 X 10— ⁵〜 5 X 10_⁴化学当量となる割合で用いるのが好ましい。より好ましい使用割合は同じ基準に対し 2 X 10— ⁵〜5 X 10— ⁴化学当量となる割合である。特に好ましい割合は同じ基準に対し 5X 10— ⁵〜 5X 10 ⁴化学当量となる割合である。触媒として使用するアルカリ金属化合物としては、所望により周期律表第 14 族元素のァート錯体アル力リ金属塩または周期律表第 14族元素のォキソ酸のァルカリ金属塩を用いることができる。ここで周期律表第 14族の元素とは、ケィ素、ゲルマニウム、スズのことをいう。かかるアルカリ金属化合物を重縮合反応の触媒として用いることにより、重縮合反応を迅速にかつ十分に進めることができる利点を有する。また重縮合反応中に進行する分岐反応のような好ましくない

'副反応を低いレベルに押さえることができる。

周期律識 14 素のアート錯体アルカリ金属塩としては、特開平 7— 26 . ヽ

8091号公報に記載のものが用いられる。例えば NaGe (OMe) ₅、 Na

Ge (OPh) ₅、 L i Ge (OMe) ₅、 L i Ge (OPh) ₅、 NaSn (〇

Me) ₃、 NaSn (OMe) ₅、 NaSn (OPh) ₅などを挙げることができる。また周期律表第 1 4族元素のォキソ酸のアルカリ金属塩としては、例えばケィ酸、スズ、ゲルマニウム（π) 酸、ゲルマニウム ay) 酸のアルカリ金属塩を好ましいものとして挙げることができる。

これらの具体例としてはオルトケィ酸ジナトリゥム、モノスズジナトリウム、モノスズテトラナトリウム、ゲルマニウム（Π) 酸モノナトリウム（N aHG e〇₂) 、オルトゲルマニウム 0V) 酸ジナトリウム、オルトゲルマニウム 0V) 酸テトラナトリゥムを挙げることができる。

重縮合反応には、アルカリ金属化合物である上記触媒と一緒に、必要により周期律表第 1 4属元素のォキソ酸、酸化物および同元素のアルコキシド、フエノキシドよりなる群から選ばれる少なくとも、 1種の化合物を助触媒として共存させることができる。

これらの助触媒を用いることにより末端の封鎖反応、重縮合反応速度を損うことなく重縮合反応中に生成しやすい分岐反応、主鎖開裂反応や、成形加工時における装置内での異物の生成、焼けといった好ましくない現象を効果的に抑止できる。

周期律表第 1 4族のォキソ酸としては、例えばケィ酸、スズ酸、ゲルマニウム酸を挙げることができる。

周期律表第 1 4族の酸化物としては、例えば二酸化ケイ素、二酸化スズ、一酸化ゲルマニウム、二酸化ゲルマニウム、シリコンテトラメトキシド、シリコンテトラブトキシド、シリコンテトラフエノキシド、テトラエトキシスズ、テトラノニルォキシスズ、テトラフエノキシスズ、テトラメトキシゲルマニウム、テトラブトキシゲルマニウム、テトラフエノキシゲルマニウムおよびこれらの縮合体を挙げることができる。

これらの助触媒は重縮合反応触媒中のアル力リ金属元素 1モル原子当り、周期律表第 1 4族の元素が 5 0モル原子以下となる割合で存在せしめるのが好ましい。同金属元素が 5 0モル原子を超える割合で助触媒を用いると、重縮合反応速度が遅くなり好ましくない。助触媒は、重縮合反応触媒のアルカリ金属元素 1モル原子当り助触媒としての周期律表第 1 4族の元素が 0. 1〜3 0モル原子となる割合で存在せしめるのがさらに好ましい。

本発明の芳香族ポリ力一ポネ一卜組成物は、本発明で用いられる前記芳香族ポリカ一ボネート 100重量部および遊離 P ( 化合物と遊離 P (V) 化合物との組合せからなる。

p (m)ィ匕合物としては、亜リン酸エステル例えば、下記式

で表されるビス（2, 4—ジ一 t一ブチルフエニル）ペン夕エリスリチルジホスファイト、ビス（2， 6—ジ一 t一プチ Jレ一4—メチルフエニル）ペン夕エリスリチルジホスファイト、ビス（ノニルフエ二リレ）ペンタエリスリチ^/ジホスファイト、ジフエニルデシルホスファイト、ジフエ二ルイソォクチルホスファイト、フエニルジイソォクチルホスフアイト、 2—ェチルへキシノレジフエニルホスファイト、テトラフェニルプロピレングリコールジホスファイト、テトラキス（トリデシル）一4， 4' 一イソプロピリデンジフエニルジホスファイト、 2, 2—メチレンビス（4， 6—ジー t—ブチルフエニル）ォクチルホスファイト、 2— {{2， 4， 8， 10—テトラキス（1， 1—ジメチルェチル）ジベンゾ {d， f } {1， 3, 2} ォキサフォスフエピン 6—ィル }ォキシ }一 N， N—ビス {2- { {2， 4， 8, 10—テトラキス（1， 1ジメチルェチル）ジベンゾ {d, f } {1, 3， 2} ジォキサフォスフエピン 6—ィル } ォキシ } —ェチル} エタナミン等のァリールアルキルホスフアイト類；

トリメチルホスファイト、トリエチレホスファイト、トリブチルホスファイト、トリオクチルホスファイト、トリノニルホスファイト、トリデシルホスファイト、トリオクタデシルホスフアイト、ジステアリルペンタエリスチルジホスフアイト、ビス（トリデシル）ペンタエリスリチルジホスファイト、トリス（2—クロロェチル）ホスファイト、トリス（2, 3—ジクロロプロピル）ホスファイト等のトリアルキルホスフアイト類；

トリシクロへキシルホスフアイト等のトリシクロアルキルホスフアイト類；トリフエニルホスファイト、トリクレジルホスファイト、トリス（ェチルフエニル）ホスファイト、トリス（2 , 4—ジ一 t—プチルフエニル）ホスファイト、トリス（ノニルフエニル）ホスファイト、トリス（ヒドロキシフエニル）ホスフアイト等のトリァリールホスフアイト類；

水添ビスフエノール一 A、およびペン夕エリスリチルホスフアイトポリマー等が挙げられる。

これらのうちでも、ァリールアルキルホスファイト類特にビス（2 , 4 - t - ブチルフエニル）

アイト類、特に下記式

ここで、 R ¹は t一ブチル基、 t—アミル基またはクミル基であり、そして R ²および R ³は互いに独立に水素原子、 t—ブチル基、 t—アミル基 'またはクミル基である、

で表される化合物、とりわけトリス（2 , 4—ジ—t一ブチルフエニル）ホスフアイトが好ましい。遊離 P (ΙΠ) 化合物は単独であるいは 2種以上併用すること力できる。

• また、 P (V) 化合物としては、リン酸エステル伊 !jえば、ビス（2， 4——ジ一 t—ブチルフエニル）ペン夕エリスリチルジホスフェート、ペン夕エリスリチレ ( 2 , 4ージ一 t一ブチルフエニル）ホスフエ一ト（2， 4ージ一 t—プチルフェニル）ホスファイト、ビス（2， 6—ジ一 t一プチレー 4—メチリレフェニル）ペンタエリスリチルジホスフェート、ペン夕エリスリチル（2 , 6—ジー tーブチル一 4—メチルフエニル）ホスフェート（2， 6—ジ— t—プチレー 4—メチルフエ二ル）ホスファイト、ビス（ノニルフエニル）ペンタエリスリチルジホスフェート、ペンタエリスリチル（ノニルフエニル）ホスフェート（ノニルフエ二ル) ホスファイト、ジフエニルデシルホスフエ一ト、ジフエ二ルイソォクチルホスフェート、フエニルジイソォクテルホスフェート、 2—ェチルへキシルジフエニルホスフエ一ト、テトラフェニルプロピレングリコ一ルジホスフェート、プロピレングリコ一ルジフエニルホスフェートジフエニルホスフアイ卜、テトラキス (トリデシル） —4, 4 ' 一イソプロピリデンジフエニルジホスフェート、 4， 4 ' —イソプロピリデンジフエニルビス（トリデシル）ホスフェートビス（トリデシル）ホスファイト、 2， 2—メチレンビス（4 , 6—ジ一 t—ブチルフエ二ル）ォクチルホスフェート等のァリ一ルアルキルホスフェート類；

トリメチルホスフェート、トリェチルホスフエ一ト、トリブチルホスフエ一ト、トリオクチルホスフェート、トリノニルホスフェート、トリデシルホスフェート、トリォクタデシルホスフェート、ジステアリルペンタエリスチルジホスフェート、ペンタエリスチルステアリルホスフェートステアリルホスファイト、ビス（トリデシル）ペンタエリスリチルジホスフエ一卜'、ペン夕エリスリチルトリデシルホスフェート、トリデシルホスフアイト、トリス（2—クロロェチル）ホスフエ一ト、トリス（2， 3—ジクロ口プロピル）ホスフェート等のトリアルキルホスフエー卜類；

トリシク口へキシルホスフエ一ト等のトリシクロアルキルホスフエ一ト類；トリフエニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリス（ェチルフエニル）ホスフェート、トリス（2， 4—ジ一 tーブチリレフェニル）ホスフェート、トリス . (ノニレフエ二レ）ホスフェート、トリス（ヒドロキシフエ二レ）ホスフエート等のトリァリールホスフエ一ト類；

7_添ビスフエノール— A、ペン夕エリスリチルホスフェートポリマー等が例示される。

これらのうちでも、ァリルアルキルホスフェート類、特にビス（2 , 4—ジ— t—プチルフエニル）ペンタエリスリチルホスフェートおよびトリァリールホスフェート類、特に下記式

.で、 R ¹は t—ブチル基、 t—アミル基またはクミル基であり、そして R ²および R ³は互いに独立に水素原子、 t—ブチル基、 t—アミル基またはクミル基である、

で表される化合物、とりわけトリス（2, 4—ジー t一ブチルフエニル）ホスフエートが好ましい。 P (V) 化合物は単独であるいは 2種以上併用することができる。

ポリ力一ポネート中に含有される、遊離 P (ΠΙ) ィ匕合物と遊離 P (V) ィ匕合物は同一エステル部分骨格を有するのが好ましい。

上記 P (船化合物と？ (V) 化合物の割合は、下記式を満足する量である。

0. 1≤P (V) ≤3XP (IE) °· ⁷+2 X (OH) °· ²

好ましくは下記式を満足する量である。

0. 1 ΧΡ (Π) °- ⁵+0. 03 (ΟΗ) °· ³≤Ρ (V) ≤3 ΧΡ (Ε0 。' ⁵ + 2Χ (ΟΗ) °- ²

ここで、 Ρ (V) は Ρ (V) 化合物のリン原子としての重量基準の含量 (p m) であり、 P (Π) は P (m) 化合物のリン原子としての重量基準の含量（ppm) である。

また、これらの遊離リン化合物は、芳香族ポリ力一ボネ一ト 100重量部当り、リン（P) 原子として、 5X 10一⁶〜 6. 5 10ー³重廳好ましくは 1. 0 X 10— ⁵〜5X 10—³重量部、より好ましくは 5 X 10— ⁵〜4X 10—³重量部で含有される。

さらに、これらの遊離リン化合物は、好ましくは下記式 (2) .

0. 1 XP (ΙΠ) 0- 5+0. 05X (OH) ⁰· ³≤Ρ (V)

≤3XP ( ) °· ⁵+ 1 Χ (OH) °· ² … (2) ここで、 Ρ (V) および Ρ (Π) の定義は上記に同じであり、そして 0 Ηは分子末端〇Η濃度 (eq/t on) である、

を満足する割合で、より好ましくは下記式 (2) -1

0. 1 XP (Π0 ⁰· ⁵+0. IX (OH) °· ³≤Ρ (V)

… (2) - 1

≤3ΧΡ (Π) °· ⁵+ 1 Χ (OH) °· ²

を満足する割合で含有される。また、本発明の組成物は、好ましくは上記芳香族ポリカーボネート 1 0 0童量部当り結合リン原子と遊離リン化合物のリン原子を、合計で、 1 . 0 X 1 0一⁵〜 8. 0 X 1 0 —3重量部、より好ましくは同基準に対し 2 X 1 0一⁵〜 7 X 1 0一³ 重量部で含有する。

さらに、本発明の組成物において、好ましくは結合リン原子対遊離リン化合物のリン原子の比が 1 ： 4〜4： 1であり、より好ましくは 1 ： 3〜3： 1である。結合リン原子を芳香族ポリ力一ポネ一トに導入するには例えば次のようにして行うことができる。

ポリカーボネート製造時、触媒を失活中和する前（触媒中和失活の時点で重合終了）、リン化合物を反応系内に導入してポリ力一ポネート分子に結合させる。これらの操作は、重合反応器、あるいは混練押出機などを使用して容易に実施しる。

これらの操作実施中の雰囲気は、酸素など酸化ガスの混入のない雰囲気、少なくとも酸素濃度、 1 p pm以下で実施するのが好ましい。

混練押出機を使用する場合、窒素ガスで加圧し、装置内に酸素の混入を防ぐのが好ましい。

また、遊離リン化合物を芳香族ポリカーボネートに混合するには例えば次のようにして行われる。

( 1) 上記結合リン原子の導入方法と同様の操作法にて、ただしポリ力一ポネ一ト重合終了以降の段階、すなわち重合触媒失活後〖こ P (Π)ィ匕合物または P (V) ィ匕合物を添加するかあるいは

( 2 ) P (Π) 化合物の添加を（1 ) と同様の方法で行った後、ポリカーボネ一ト樹脂組成物をポリカーボネートのガラス転移温度近辺で空気中で酸化処理を行い、遊離 P (V) の量を調節する。 '

酸化処理時間はポリカーボネート試料チップ大きさにより変動するので P (V) の量を測定しつつ実施する。この酸化処理は例えば 5〜 3 0日行うのが好ましい。本発明の組成物は、好ましくはアルカリ金属化合物をアルカリ金属として 1 0 〜8 0 0 p p bの範囲で含有する。かかるアルカリ金属化合物は、芳香族ポリ力 —ポネート製造時に使用するエステル交換触媒、助触媒あるいは組成物に添加される種々の添加物等に由来する。

本発明の芳香族ポリ力一ポネート（A) としては溶融粘度安定性 0 . 5 %以下のものが好ましく使用される。溶融粘度安定性は、より好ましくは 0 . 3 %以下、さらに好ましくは 0 . 1 %以下、特に好ましくは 0 %である。

溶融粘度安定性を 0 . 5 %以下にするためには、重縮合反応後、より好ましくは、末端封止反応終了後の芳香族ポリ力一ポネートに対し溶融粘度安定剤 (E) を特定量で添加すること等により達成しうる。溶融粘度安定性の劣る芳香族ポリカーボネートは、成形加工時の安定性不良に加えて、高湿条件下および成形品の長期使用時の機械的物性の不安定性とりわけ藤衝撃性の悪化や低下が著しく、実用性に耐えない。

本発明で使用する溶融粘度安定剤としては、下記式 ( 3 )

ここで A ¹は置換基を有していてもよい炭素数 1〜 2 0の炭化水素基であり、 X ¹はアンモニゥム、ホスホニゥムカチオンまたは炭素数 1〜1 0 のアルキル基であり、 mは 1〜4の整数である、

で表される化合物が好ましく用いられる。

上記式 ( 3 ) で表される化合物としては、例えばォクチルスルホン酸テトラブチルホスホニゥム塩、ベンゼンスルホン酸テトラメチルホスホニゥム塩、ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニゥム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニゥム塩のごときホスホニゥム塩；デシルスルホン酸テトラメチルアンモニゥム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラプチルアンモニゥム塩のごときアンモニゥム塩；およびベンゼンスルホン酸メチル、ベンゼンスルホン酸ブチル、 p—トルエンスルホン酸メチル、 p—トルエンスルホン酸ブチル、へキサデシルスルホン酸ェチルのごときアルキルエステルを挙げることができる。

かかる溶融粘度安定剤は、ホスゲン法で製造されたポリカ一ポネ一トに対しても有効であるが、特に溶融重合法、あるいは固相重合法でポリ力一ポネートを製造したポリカーポネ一ト中、エステル交換触媒のアル力リ金属化合物 1当量当り、好ましくは 0 . 7〜1 0 0当量、より好ましくは 0 . 8〜3 0当量、さらに好ましくは、 0， 9〜2 0当量、特に好ましくは 0 . 9〜1 0当量で使用される。上記溶融粘度安定剤のうち、スルホン酸アルキルエステルを使用した場合、芳香族ポリカーボネートに対し減圧処理を加えるのが好ましい。かかる減圧処理をするに際し、処理装置の形式は特に制限されるものではない。他方スルホン酸ホスホニゥム塩およぴスルホン酸アンモニゥム塩を使用した場合にはかかる減圧処理を加えることが好ましいとはいえない。

減圧処理は、縦形槽型反応器、横形槽型反応器あるいはベント付き一軸、あるいは二軸押出機において好ましくは 0. 0 5〜6 O mmH g,より好ましくは 0. 0 5〜： L O O mmH gの減圧下で行われる。

減圧処理時間は、槽型反応器においては 5分〜 3時間、二軸押出機を使用した場合 5秒〜 1 5分程度である。処理温度は 2 4 0 °Cから 3 5 0 °Cが好ましい。減圧処理は押出機にてペレタイズと同時に行うこともできる。上記のような減圧処理を行うことにより、芳香族ポリ力一ボネート中に残存する原料モノマーは低減されるかまたは完全に除去される。

かくして得られる芳香族ポリ力一ポネートは、優れた成形性、滞留安定性を有し、熱的、色相安定性がとりわけ良好で、本発明の目的を達成するために好適のものである。

本発明の芳香族ポリカーボネート（A) には、格別に各種の耐熱安定剤を添加する必要はないが、本発明の目的を損わない限り、所望により通常の耐熱安定剤を添加することができる。かかる安定剤としては、例えばリン系安定剤（上記溶融粘度安定剤以外の）、フエノール系安定剤、有機チォエーテル系安定剤、ヒンダ一ドアミン系安定剤などを挙げることができる。

リン系安定剤としては例えばテトラキス（2 , 4—ジ一 t—ブチルフエニル） —4， 4—ビフエ二レンジホスホナイト、 4， 4 ' 一フエ二レンジホスフィン酸テトラキス（2， 4ージー t一ブチルフエニル等のホスホナイト類等が挙げられる。これらは戦虫で使用してもよいし 2種以上を一緒に使用してもよい。

立体障害フエノール系安定剤としては例えば、 n—ォクタデシル一 3— （4， —ヒドロキシ一 3，， 5，ージ一 t—ブチルフエニル）プロピオネート、テトラキス {メチレン一 3— (3，， 5' —ジ一 t—ブチルー 4—ヒドロキシフエニル）プロピオネート）メタン、ジステアリル（4—ヒドロキシ一 3—メチル一5— t 一プチルペンジル）マロネート、トリエヂレグリコール—ビス { 3— （ 3— t— プチルー 5—メチルー 4—ヒドロキシフエニル）プロピオネート } 、 1， 6—へキサンジオール一ビス {3— （3， 5—ジ— t—ブチル—4—ヒドロキシフエ二ル）プロピオネート } 、ペン夕エリスリチルーテトラキス {3— (3， 5—ジー t—ブチル一4ーヒドロキシフエニル）プロピオネート } 、 2, 2—チオジェチレンビス {3— (3, 5—ジ— t—プチルー 4—ヒドロキシフエニル）プロピオネート } 、 2, 2—チォビス（4ーメチルー 6— t—プチルフエノール）、 1, 3, 5—トリメチル一2， 4， 6—トリス（3， 5—ジ一 t—プチルー 4—ヒドロキシベンジル）ベンゼン、トリス（3， 5—ジ一 t—プチルー 4—ヒドロキシベンジル）一イソシァヌレート、 2, 4—ビス { (ォクチルチオ）メチル } -0 —クレゾール、イソォクチルー 3— (3， 5—ジ一！;一ブチルー 4—ヒドロキシフエニル）プロピオネート、 2, 5, 7, 8—テトラメチルー 2 (4' , 8，， 12' —トリメチルトリデシル）クロマン一 6—オール等が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし 2種以上一緒に使用してもよい。

有機チォエーテル系安定剤としては、例えばジラウリルチオジプロピオネー卜、ジステアリルチオジプロピオネート、ジミリスチル— 3， 3 ' —チォジプロピオネート、 1ジトリデシルー 3, 3' —チォプロピオネート、ペンタエリスリトールーテトラキスー（)3—ラウリル—チォプロピオネート）などを挙げることができる。これらは単独で使用してもよいし 2種以上一緒に用いてもよい。

またヒンダードアミン系安定剤としては、例えば、ビス（1， 2, 2, 6, 6 —ペンタメチルー 4ーピペリジル）セバケ一ト、 1一〔2— {3— (3， 5—ジ — t—プチル一 4—ヒドロキシフエニル）プロピオニルォキシ} ェチレ〕一 4— {3- (3, 5—ジ一 t一ブチル一4—ヒドロキシフエニル）プロピオニルォキシ} 一 2， 2, 6, 6—テトラメチルピペリジン、 4一ベンゾィルォキシ一2， 2， 6, 6—テトラメチルピペリジン、 2— (3, 5—ジ一 t—プチルー 4ーヒドロキシベンジル） — 2— n—ブチルマロン酸ビス（1 , 2 , 2 , 6， 6—ペンタメチル一 4一ピペリジル）などを挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、 2種以上一緒に使用してもよい。

これらの耐熱安定剤は、芳香族ポリ力一ボネ一ト 1 0 0重量部当り、好ましくは 0. 0 0 0 1〜5重量部、より好ましくは 0 . 0 0 0 5〜1重量部、さらに好ましくは 0. 0 0 1〜0. 5重量部の量で使用できる。

また、分子中にエポキシ基を一個以上保有する化合物を酸性物質補足剤として使用することができる。

かかる酸性物質補足剤としては、例えばエポキシ化大豆油、フエニルダリシジルェ一テル、 3， 4一エポキシ— 6—メチルシクロへキシルメチル—3 ' , 4， —エポキシ一 6 ' —メチルシクロへキシルカルポキシレート、 3， 4一エポキシシクロへキシルエチレンォキシド、ビスフエノール Aジグリシジルェ一テル、 2 —ェチルへキシル— 3，， 4，一エポキシシクロへキシルカルポキシレート、 4， 5—エポキシ無水テトラヒドロフタル酸などを挙げることができる。

これらのうち脂環式エポキシ化合物が好ましく^できる。特に 3， 4—ェポキシシクロへキシルメチルー 3 ' , 4，一エポキシシクロへキシルカルポキシレ —トがとりわけ好ましく使用できる。このようなエポキシ化合物は、芳香族ポリカーボネートに対して、好ましくは 1〜 2， 0 0 0 p pm、より好ましくは 1 0 〜1， 0 0 0 p pmの量で添加される。これらは単独で用いてもよいし、 2種以上を一緒に使用してもよい。

本発明の芳香族ポリ力一ポネ一ト組成物は離型剤をさらに含有することができる。離型剤としては高級脂肪酸エステルが好ましく使用される。かかる高删旨肪酸エステルとしては、高級脂肪族カルボン酸と多価アルコールの部分エステルが好ましく用いられる。高級脂肪酸エステルは本発明の芳香族ポリ力一ポネート組成物 1 0 0重量部当り、好ましくは 0 . 0 0 5〜0. 5重量部、より好ましくは 0 . 0 0 7〜0 . 5重量部、特に好ましくは 0 . 0 1〜0. 3重量部で用いられる。これらの重量割合において、十分な耐熱性、離型性およびミクロンオーダーの高度の転写を得ることができる。脂肪族カルボン酸と多価アルコールとの部分エステルとは、多価アルコールの少なくとも 1つの水酸基が未反応であるものをいう。

上記高級脂脑カルボン酸としては、飽和および飽和の高級脂肪族カルボン酸をいずれも用いることができる。高級脂カルボン酸としては飽和脂力ルボン酸が好ましく、炭素数 1 2〜2 4のものが特に好ましい。炭素数が上記範囲より少ないと、製造されたポリカーボネート系樹脂組成物がガスの発生を起こしゃすくなる傾向がある。一方炭素数が上記範囲より大きいとポリカーボネート系樹脂組成物の離型性が低下する傾向が見られるようになる。上記高級脂！^力ルボン酸としては、具体的には、ドデシル酸、バルチミン酸、ステアリン酸、ァラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸などが挙げられる。

また、上記 (面アルコールとしては、特に限定されず、 2価、 3価、 4価、 5 価、 6価いずれも用いることができる。例えばエチレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペン夕エリスリトールなどが好ましく、グリセリンが特に好ましい。

離型剤としては、炭素数 1 2〜2 4の飽和脂モノカルボン酸のモノグリセリドおよび Zまたはジグリセリドが好ましい。

本発明で用いる脂肪族カルボン酸と多価アルコールとの部分エステルは、慣用のエステル化反応によって得ることができる。

さらに本発明では、 ·上記のごとき高級脂肪酸エステル離型剤の他、従来公知のその他の離型剤を使用することもできる。炭化水素離型剤としては、例えば天然、合成パラフィンワックス類、ポリエチレンワックス、フルォロカ一ボン類を挙げることができる。脂肪酸離型剤としては、ステアリン酸、ヒドロキシステアリン酸、などの高級脂肪酸、ォキシ脂肪酸、などを挙げることができる。脂肪酸アミド離型剤としてはステアリン酸アミド、エチレンビスステアリルアミドなどの脂肪酸アミド、エル力酸アミド等のアルキレンビス脂肪酸アミド類を挙げることができる。

アルコール離型剤としては、ステアリルアルコールなどの脂肪族アルコール、多価アルコール、ポリグリコール、ポリグリセロール類などを挙げることができる。その他ポリシロキサン類も使用可能である。

本発明の芳香族ポリカーボネート組成物は、その他にも所望の目的を達成するため従来公知の各種添加剤例えば光安定剤、紫外線吸収剤、金属不活性剤、クェンチヤー、金属石鹼、造核剤、帯電防止剤、難燃剤、着色剤等を使用できる。光安定剤としては、例え'ば 2— ( 3— t—ブチル—2—ヒドロキシ一 5—メチルフエニル） — 5—クロ口べンゾトリァゾ一ル、 2— ( 3 , 5—ジ一 t—プチル一 2—ヒドロキシフエニル) ベンゾトリアゾール、 2 - ( 2—ヒドロキシー 5— t—ォクチルフエニル）ベンゾトリアゾ一ル、 2— { 2—ヒドロキシ一 3— ( 3 , 4 , 5， 6—テトラヒドロフタルミドメチル）フエ二ル} ベンゾトリアゾール等のベンゾトリアゾ一ル系化合物； 2—ヒドロキシ—4—ォクチルォキシベンゾフエノン等のベンゾフエノン系化合物； 2， 4—ジ一 t一ブチルフエニル、 3 , 5ージ一 t—ブチル— 4—ヒドロキシベンゾェ一ト等のベンゾェート系化合物を挙げることができる。

紫外線吸収剤としては例えばェチル 2—シァノー 3 , 3—ジフエ二ルァクリレ —ト等のシァノアクリレート系化合物が挙げられる。 ,

これらの光安定剤および紫外線吸収剤のそれぞれは、芳香族ポリ力一ポネート 1 0 0重量部に対し、好ましくは 0 . 0 0 1〜5重量部、より好ましくは 0 . 0 5〜1 . 0重要部、さらに好ましくは 0 . 0 1〜0 . 5重量部の量で用いることができる。これらの剤は単独で用いてもよいし一緒に使用してもよい。

クェンチヤ一としては例えばニッケルジブチルジチォカーバメ一卜等のニッケル系クェンチヤ一が挙げられる。

金属不活性化剤としては例えば、 N, N， - { 3 - ( 3 , 5—ジー t—ブチル —4—ヒドロキシフエニル）プロピオ二ル}ヒドラジン等の化合物が挙げられる。金属石鹼としては例えばステアリン酸カルシウム等の化合物が挙げられる。造核剤としては例えばジ（4一 t一ブチルフエニル）ホスホン酸ナトリウム、ジベンジリデンソゥビトール、メチレンビス（2， 4—ジ一 t—ブチルフエノール）アツシドホスフェートナトリゥム塩等のソリビトール系、リン酸塩系化合物が挙げられる。帯電防止剤としては例えば（/3—ラウラミドプロピル）トリメチルアンモニゥムスルフェート等の第 4級アンモニゥム塩系、アルキルホスフェート系化合物が挙げられる。

難燃剤としては例えばトリス（2—クロロェチル）ホスフェートなどの含ハロゲンリン酸エステル類、へキサブ口モシクロドデカン、デカブ口モフエ二ルォキシドなどの八ロゲン化物、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、水酸化アルミニゥムなどの金属無機化合物類、これらの混合物が挙げられる。

着色剤としては、下記のごとき有機あるいは無機の染料、顔料等の着色剤を使用できる。

無機着色剤としては、例えば二酸化チタン、ベンガラなどの酸化物、アルミナホワイトなどの水酸化物、硫化亜鉛などの硫化物、セレン化物、紺青などのフエロシアン化物、ジンククロメート、モリブデンレッドなどのクロム酸塩、硫酸バリウムなどの硫酸塩、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、群青などのケィ酸塩、マンガンバイオレットなどのリン酸塩、カーボンブラックなどの炭素、ブロンズ粉やアルミニゥム粉などの金属着色剤などが挙げられる。

有機系着色剤としては、例えばナフトールグリーン Bなどのニトロソ系、ナフトールイェロー Sなどのニトロ系、ナフトールレッド、クロモフタ一ルイエローなどのァゾ系、フタルシアニンブルーやファストスカイブルーなどのフタロシアニン系、インダントロンブルーゃキナクリドンバイオレットなどの縮合多環系着色剤などが挙げられる。

これら着色剤は単独で使用してもよいし、あるいは一緒に使用してもよい。これら着色剤は芳香族ポリカーボネート 1 0 0重量部当り、好ましくは 1 X 1 0一⁶ 〜5重量部、より好ましくは I X 1 0一⁶〜 3重量部、さらに好ましくは I X 1 0 一⁵〜 1重量部の量で用いることができる。

本発明の芳香族ポリ力一ポネ一ト組成物は種々の成形品に成形することができる。例えばディスク基板を成形する方法としては、ディスク成形用金型を使用し、射出成形、あるいは圧縮成形する通常の成形法のほかに、超音波成形、多段圧縮成形、高速充填成形などの方法も用いることができる。成形温度は、好ましくは 300〜390°C、より好ましくは 310〜350°C の範囲であり、金型温度は好ましくは 75〜130。Cの範囲である。複屈折の低減、および写性向上のためには、芳香族ポリ力一ポネート組成物の温度を高くすることが好ましい。成形温度が 390°Cを超えると組成物の熱分解が起こり成形物中に濁りが発生して透明性が低下する恐れがある。透明性は基板にとり不可欠の物性の一つである。また金型温度は、流動性の向上の点より高いほうが好ましいが、 130°C以上では、成形品にソリが発生して基板として使用不可となる場合が発生する。

さらに射出率に関しては、好ましくは 150 cmVs e c. 以上、より好ましくは 200cm³/s e c. 以上が有利である。 150 cm³Zsec. 未満では金型内部で、成形材料が急冷されて流動圧力損失が大きくなり、樹脂配向性が増加し、成形品がひずみ等の不良を発生させる恐れがある。

また金型の材質には特に制限はなく、例えば金属、セラミックス、グラフアイト等が使用可能である。このようにして成形された基板は、再生専用型、追記型、書き換え型等各種デジタルビデオディスクの基板として好適に使用できる。本発明の基板を使用してデジタルビデオディスクを製造するには、例えば通常のコンパクトディスク製造の場合と同様の方法により製造することができる。

成膜工程においては、例えば該基板上に記録膜、保護膜を設け、さらにその上にハードコ一ト層および必要に応じて、オーバーコ一ト層を設けた二枚の単板を ·通常の方法に従い、例えば紫外線硬化樹脂接着剤により接着製造される。 ' 実施例

以下本発明の効果を、実施例により説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。

1 ) ポリ力一ポネ一トの粘度平均分子量の測定；

塩化メチレン中、 20°C、ウベローデ粘度管にて固有粘度； [77] を測定し、該固有粘度より次式により計算した。

[Til =1. 23X10"⁴MV°- ⁸³ 2) 末端水酸基濃度

サンプル； 0. 02gを 0. 4mlの重クロロフオルムに溶解、 20°Cで 1H NMR (日本電子社製； EX—270) を用いて、末端水酸基、および末端フエニル基濃度を測定した。

3) 溶融粘度安定性；

レオメトリックス社製 RAA型流動解析装置を用いて、窒素気流下、せん断速度 1 r ad/s e c， 300°Cにて溶融粘度の変化が安定した後測定した溶融粘度の変化の絶対値を 30分間測定し、 1分当たりの変化率を求めた。ポリカーボネートの長期、短期の樹脂安定性が良好であるためにはこの値が 0. 5%を超えてはならない。

4) 滞留安定性；

5 OmmX 50 mm X 2 mmの平板を名機製作所（株）製、 M50 B射出成形機により、シリンダ一温度； 380 、金型温度； 75°C、射出圧； 300 k g、型締め力 50トンで試料 1を成形した。

次いで同温度で 15分間シリンダー内に滞留させた後試料 2を成形した。

この 2種の平板の色； L， a, b値を日本電色（株）製 Z— 1001DP色差計により測定し、次式により ΔΕを測定した。

△ E= [ (L 1-L2) ²+ (a l-a2) ²+ (b l-b2) ²] ^1/2 厶 E値が 3を超えると、成形品の成形条件の変動により成形品の色相の変動が大きく商品的価値を損う。

成形品の色相変動を押さえるためには、この値は 0力撮適であるが、実際上は 1台あるいはそれ以下であれば優秀、 2. 0〜2. 5未満であれば良好、 2. 5 〜3. 0未満であれば可の水準である。

5) ディスク離型性；金型汚れ

得られたポリ力一ポネート組成物ペレツトを使用し、住友重機械工業製 D I S K3 MMに DVD専用の金型を取り付け、この金型にアドレス信号などの情報の入ったニッケル製の DVD用スタンパ一を装着し、上記組成物ペレツトを自動搬送にて成形機のホツバに投入し、シリンダー温度 380°C、金型温度 115°C、射出速度 20 OmmZs e c、保持圧力 3， 432kPa (35 kg f /cm²) の条件で直径 12 Omm、厚さ 0. 6 mmの DVDディスク基板を 1 OK枚作成した。 .

成形時、装置がディスクを金型より良好に取り外しできなかった枚数が、 10 枚以上のロットを不良； X、 3から 9枚のものを良好；〇、 2枚以下を優秀；◎ と判定した。

また成形後のスタンパの汚れを目視し、汚れが認めがたいか、きわめて少ないもの；◎、少なくて良好なもの；〇、汚れが認められる； Xと判定した。 1. 実施例 1〜： L4、 18、 19、比較例 1〜6 ； MW-13, 500のもの

(ポリカーボネート製造例）

ビスフエノール A ; 22. 8重量部，ジフエ二ルカ一ポネート； 22. 0重量部および重合触媒として N a〇H; 4X 10—6重量部、テトラメチルアンモニゥムヒドロキシド； 9. 1X 10— ⁴重量部を攪拌装置，蒸留塔および、減圧装置を備えた反応槽に仕込み、窒素置換した後， 140でで溶解した。 30分間攪拌後、内温を 180°Cに昇温し，内圧 1. 33 X 10⁴P aで 30分間反応させ，生成するフエノールを溜去した。

ついで内温を 200 °Cに昇温しつつ徐々に減圧し、 0. 67X 10⁴P aで 3 0分間フエノールを溜去しつつ反応させた。さらに 220°C、 4. 0 X 10³P aまで徐々に昇温、減圧し、同温度、同圧力条件下で 30分間反応させ、さらに 240°C、 1. 33 X 10³Pa、 260°C、 1. 33 X 10²Pa、 260°C、 1. 33 X 10² P a以下にまで上記と同じ手順で昇温、減圧を繰り返し反応を続行した。

最終的に同温，同圧で重合反応を継続し、粘度平均肝量が 13， 500のポリカーポネート樹脂を得た。得られたポリマーの一部を採取し、末端水酸基濃度を測定したところ、 100 e Q/t onであった。

(リン結合 PCの作成）次いで表 1、 2中、結合 Pの欄記載の A 1〜A 6の各量のリン化合物を添加し 260 °C, 1. 33 X 10⁴P aで 10分間反応させ、表 1、 2中の所定量の結合リン量を含有するポリカーボネート樹脂を得た。

(末端水酸基の調整）

さらに末端水酸基濃度が 100 e d/t onの同ポリ力一ポネート翻旨について、表 1、 2中の末端封止剤の欄記載の 2—メトキシカルポニルフエ二ルーフエニル—カーボネート（S AMD PCと略す）の所定量を 0. 67 X 10⁴Pa, 270 °Cで添加し、その後 270 、 1. 33 X 10²P a以下で 5分間末端封止反応を継続し、それぞれ表 1、 2記載の末端水酸基濃度を有するポリ力一ポネート樹脂を得た。

(溶融粘度の安定化）

その後溶融粘度安定化剤として表 1、 2中の失活剤の欄記載の精製；ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニゥム（DBS Pと略す）； 8. 8X 1 0一⁵重量部； &触媒の1. 5倍当量）を添加し、同温同圧にて 10分間混合攪拌し，触媒を失活、不活性化し、表 1、 2記載の粘度平均^?量 13, 500 のポリカーボネート樹脂（実施例 1〜14、 18、 19、比較例 1〜6) を得た。 (ポリカーボネ一ト榭脂組成物の製造：遊離リン化合物、その他の安定剤の添加）上記のように得られたリン含有ポリカーボネートをギヤ一ポンプで 2軸ルーダ一に送液して表 3〜 6記載の各種、量の遊離リン化合物、および離剤として脂肪酸エステルを添加し、表 3〜6記載のようなポリ力一ポネート樹脂組成物（実施例 1〜； L 4、 18、 19、比較例 1〜 6 ) を得て、押出チップ化した。なお表 3、 4において遊離リン化合物添加量はポリカーボネート 25. 4重量部当たりの添加量で記載している。 2. 実施例 15〜： L 7 ； MW= 15, 000、 22, 000、 30, 000 上記のポリカーボネート製造例に準じて、それぞれの分子量を有するポリカーポネート樹脂を製造し、上記と同様の方法で、表 2中記載の化合物により結合リンを導入し、下記表 7のようなポリ力一ポネート樹脂 3種を得た。表 7

さらに上記と同様の方法で、表 2中記載の化合物により末端水酸基を調整し、溶融粘度を安定させ、表 4、 6記載の各種、量の遊離リン化合物、脂肪酸エステル、およびフエノール系安定剤を添加し、表 4、表 6記載のようなポリカーポネ ―ト樹脂組成物（実施例 1 5〜： L 7 ) 'を得た。

3. ポリ力一ポネ一卜樹脂組成物の評価

以上のように得られたポリカーボネート樹脂組成物（実施例 1〜1 9、比較例 1〜6 ) について表 5、 6のように物性を測定した。さらに上記方法によりディスク基板を作成し、評価した。

表 2

表 3 全？遊離性リン P結合：遊離 P(III): 遊離 P(III) 遊離 P(V): 遊離 P(V) P(III)/(V)

(ppm) 難性重量部 (扉）重量部 (ppm)

実施例 1 6 5 1/5 Αι ;2.73x10⁴ 0.5 ΒΙ ;2.53x10¹⁵ 4.5 1/9 比較例 1 5 4 1/4 Al ;2.19x10 4 0 0 0/10 比較例 2 5 4 1/4 0 0 4 10/0. 実施例 2 5 3 0.7/3 A2; 7.22xl(T⁴ 2.7 B2;8.4xl0-^b 0.3 9/1 実施例 3 5 5 1/10 A3 ;1.15X10-³ 4.5 Β3; 1.35X10— ⁴ 0.5 9/1 比較例 3 5 5 A3;7.67xl0"⁴ 3 Β3; 5.38X10一⁴ 2 3/2 実施例 4 4 2 1/1 A4;6.49X10"⁴ 1.8 B4;7.18XlO" 0.2 9/1 実施例 5 4 0.5 3.5/0.5 Α5;2.22ΧΓ⁴ 0.45 B5;2.60Xl0" 0.05 9/1 比較例 4 4 0.09 3.9/0.1 A6;3.5xl0-^e 0.009 B6;3.36X10"^¾ 0.081 9/1 実施例 6 6 4 2/4 Al; 5.48x10一⁴ 1 B1;1.68X10-³ 3 1/3 実施例 7 7 5 2/5 Al; 1.64x10— ³ 3 B1;1.12X10-³ 2 3/2 実施例 8 5 3.5 5/7 A2;8.29xl0"⁴ 3.1 B2;1.12X10-⁴ 0.4 3.1/0.4

表 4

表 5 脂肪酸エステルフエノ-ル系酸価虫粘総合判定滞留安定性；離型性金型汚れ安定剤 .安定性 △Ε値

実施例 1 (R2) 200ppm 0 0 0 〇 2.3 〇〇比較例 1 (R2) 200ppm 0 0 0 X 2.8 X X 比較例 2 (R2) 200ppm 0 0 0 X 2.9 X X 実施例 2 (R2) 200ppi 0 0 0 〇 2.2 〇〇実施例 3 (R2) 測顏 0 0 0 〇 2.4 〇〇比較例 3 (R2) 200ppm 0 0 0 X 3.5 〇〇実施例 4 (R3) lOOppm 0 0 0 〇 1.8 〇〇実施例 5 (R3) lOOppm 0 0 0 〇 2.7 〇〇比較例 4 (R3) lOOppm 0 0 0 X 3.7 X X 実施例 6 (R1) 200ppm 0 0 0 ◎ 1.7 ◎ ◎ 実施例 7 (R1) 200ppm 0 0 0 ◎ 1.7 ◎ ◎ 実施例 8 (R1) 200ppm 0 0 0 ◎ 1.5 ◎ ◎

表 6 脂肪酸エステルフエノ-ル系酸価総合判定滞留安定性；離型性金型汚れ安定剤安定性 △E値

実施例 9 (Rl);200ppm 0 0 0 . ◎ 1.8 ◎ ◎ 実施例 10 (Rl) ;200ppm 0 0 0 ◎ 1.6 ◎ ◎ 実施例 11 (Rl);200ppm 0 0 0 ◎ 1.8 ◎ ◎ 実施例 12 (Rl);200ppffl 0 0 0 ◎ 1.9 ◎ ◎ 比較例 5 (Rl) ;200ppm 0 0 0.8 X 3.1 X X 実施例 13 (R4) ;300ppm 0 0 0 ◎ 1.7 ◎ ◎ 実施例 14 (R4);300ppm 0 0 0 〇 2.2 〇 ◎ 比較例 6 (R4) ;300ppm 0 0 0 X 3.6 X 〇実施例 15 (R5)； 200ppm Cl;100 0 0 ◎ 1.9 ◎ ◎

C2;200

実施例 16 (R5)； 200ppm Cl;100 0 0 ◎ 1.8 ◎ ◎

C2;200

実施例 17 (R5);200ppm CI ;100 0 0 〇 2.2 ◎ ◎

C2;200

実施例 18 (Rl) ;200ppm 0 0 0 ◎ 1.8 ◎ ◎ 実施例 19 (Rl) ;200ppm 0 3 0 〇 2.4 〇〇

表中の略号の意味は次のとおりである。

p (m) ィ匕合物； (A1) ；トリス（2， 4—ジー t—ブチルフエニル）フォスフアイト、（A2) ；ビス（2， 6—ジ一 t—ブチル 4—メチル）ペンタエリスリチルジフォスファイト、（A3) ；ビス（2, 4—ジー t—ブチルフエニル）ペン夕エリスリチルジフォスファイト、（A4) ；ビス（2, 4—ジクミルフエニル）ペン夕エリスリチルジフォスファイト、（A5) ; 2， 2—メチレンビス（4, 6ージー t一ブチルフエニル）ォクチルフォスフアイト、（A 6) ；ビス（2， 4一ジ一 t -ブチルフエニル）アシッドフォスファイト、

P (V) 化合物； (B 1) ；トリス（2， 4—ジ一 t—ブチルフエニル）フォスフェ一ト、（B2) ；ビス（2, 6—ジ— t一ブチル 4ーメチル）ペンタエリスリチルジフォスフエ一ト、（B3) ；ビス（2, 4—ジー t一ブチルフエニル）ペン夕エリスリチルジフォスフェート、（B4) ；ビス（2， 4—ジクミルフエニル）ペンタエリスリチルジフォスフェート脂肪酸エステル；（R1) ；グリセリンモノステアレート、（R2) ；グリセリンジステアレート、（R3) ；グリセリントリステアレート、（R4) ；ペン夕エリスリ！ルモノステアレート、（R5) ；ペンタエリスリトーリレテ卜ラステアレー卜立体障害フエノール系安定剤； (C 1) ； 2— t—プチルー 6— (3— t—ブチル一 2—ヒドロキシー 5—メチルベンジル）一 4一メチルフエ二ルァクリレー卜、（C2) ；ペン夕エリスリチルーテトラキス [3— （3， 5—ジー t—ブチルー 4—ヒドロキシフエニル）プロピオネート]

Claims

請求の範囲 i. (A) . (l) . 下記式 (1)

ここで、 R R²、 R ³および R ⁴は互いに独立に水素原子、炭素数 1〜 10のアルキル基、炭素数 6〜10のァリール基または炭素数 7〜10 のァラルキル基でありそして Wは炭素数:!〜 6のアルキレン基、炭素数 2〜10のアルキリデン基、炭素数 6〜10のシクロアルキレン基、炭素数 6〜10のシクロアルキリデン基、炭素数 8〜15のアルキレン一ァリーレン—アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基またはスルホン基である、

で表される繰返し単位から主としてなり、

(2) . 粘度平均分子量が 12， 000〜100, 000であり、

(3) .分子末端 OH基濃度が 3〜 80当量 Z t o n—ポリカーボネート樹脂（以下 e q/t on) であり、

(4) . 結合リン原子が 0. 05〜65 131!1でぁる、

' 芳香族ポリ力一ポネート 100童量部および

(B) . 遊離 p (m) 化合物対遊離 p (V) 化合物が下記式

0. 1≤P (V) ≤ 3 X P (ΠΙ) °· ⁷ + X (OH) ⁰.² ここで、 Ρ (V) は Ρ (V)化合物のリン原子としての重量基準の含量 (ppm) であり、 P (1) は P (!) 化合物のリン原子としての重量基準の^ » (p m) であり、そして OHは分子末端 OH濃度 (e q/ t on) である、

を満足する遊離 p (m) 化合物と遊離 p (V)化合物の組合せであり、合計量が

&原子として 5 X 10一⁶〜 6. 5 X 10_³重量部であり、そして

(C) . 300°Cにおける溶融粘度変化率が 0. 5%以下である芳香族ポリカーポネ一卜組成物。

2. 遊離 P (ΠΙ)化合物対遊離 P (V)化合物が下記式

0. 1XP (Π) ⁰· ⁵+0. 03 (OH) °· ³≤P (V) ≤3ΧΡ (ΠΙ) °· ⁵ +2Χ (OH) °· ²

ここで Ρ (IE) 、 Ρ (V) および（OH) の定義は上記に同じである、を満足する請求項 1に記載の芳香族ポリカーボネート組成物。

3. 芳香族ポリカーボネート 100重量部当り、結合リン原子と遊離リン化合物のリン原子を、合計で、 1. 0X 10_⁵〜8. 0X 10—³重量部含有する請求項

1に記載の芳香族ポリカーボネー卜組成物。

4. 結合リン原子対遊離リン化合物のリン原子の比が 1： 4〜4： 1の範囲にある請求項 1に記載の芳香族ポリカーポネ一卜組成物。

5. 遊離リン化合物を下記式 (2)

0. IX (P (Π) ) °- ⁵+0. 05X (OH) °· ³≤P (V) ≤3Χ (Ρ (Π) ) 。· 5+1X (OH) 。· ^{2 (2)} ここで、 P (V) は P (V)化合物のリン原子としての童量基準の含量 (p m) であり、 P (Π) は P (IH) 化合物のリン原子としての重量基準の含量 ( pm) であり、そして〇Hは分子末端〇H濃度 (e qu iva l ent s/ton) である、

を満足する割合で含有する請求項 1に記載の芳香族ポリ力一ポネ一ト組成物。

6.芳香族ポリ力一ポネート（A)の重量平均^ P量 (Mw)と数平均 ^^量 (M n) の比（Mw/M n ) が 2. 0〜 3. 6である請求項 1に記載の芳香族ポリ力ーポネート組成物。

7. 遊離 P (IE) 化合物が亜リン酸エステルでありそして遊離 P (V) 化合物がリン酸エステルである請求項 1に記載の芳香族ポリカーポネ一ト組成物。

8. 遊離 P (1) ィ匕合物が下記式 .

ここで、 R ¹は t—ブチル基、 t —アミル基またはクミル基であり、そして R²および R ³は互いに独立に水素原子、 t—ブチル基、 t—アミル基またはクミレ基である。

で表される亜リン酸トリエステルである請求項 1に記載の芳香族ポリ力一ポネート組成物。

9. 遊離 P (V) 化合物が下記式

ここで、 1^は1;ーブチル基、 t—アミル基またはクミル基であり、そして R ²および R ³は互いに独立に水素原子、 t—ブチル基、 t—アミル基またはクミル基である。

で表されるリン酸トリエステルである請求項 1に記載の芳香族ポリ力一ポネ一ト組成物。

1 0. 遊離 P (船ィ匕合物と遊離 P (V) 化合物が同一エステル部分骨格を有する請求項 1に記載の芳香族ポリカーボネート組成物。

1 1. 芳香族ポリカーボネート（A) の酸価が 0〜 2 e q/ t o nである請求項 1に記載の芳香族ポリカーボネート組成物。

1 2. 芳香族ポリ力一ポネート（A) の分子末端 OH基の 1部がサリチル酸エステルにより封鎖されている請求項 1に記載の芳香族ポリカーポネ一ト組成物。

1 3. アルカリ金属化合物をアルカリ金属として 1 0〜8 0 O p p bの範囲で含有する請求項 1に記載の芳香族ポリ力一ボネ一ト組成物。 '

1 4. 芳香族ポリ力一ポネ一ト（A) が（a) 塩基性窒素化合物および/または塩基性リン化合物と（b) アルカリ金属ィ匕合物またはアルカリ土類金属化合物を含有してなるエステル交換触媒の存在下、芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジェステルとを溶融重縮合せしめる方法を経て得られた請求項 1〜 1 3のいずれかに記載の芳香族ポリカーボネー卜組成物。

1 5. 芳香族ポリ力一ポネート（A) が下記式 (3 ) .

ここで A ¹は置換基を有していてもよい炭素数 1〜 2 0の炭化水素基であり、 X¹はアンモニゥムカチオン、ホスホニゥムカチオンまたは炭素数 1〜1 0のアルキル基であり、そして mは 1〜4の整数である、で表される溶融粘度安定剤が、エステル交換触媒のアル力リ金属化合物 1当量当り 0. 7〜1 0 0当量で使用されて得られた請求項 1 4に記載の芳香族ポリカーポネ一卜組成物。

1 6. 請求項 1〜 1 5のいずれかの芳香族ポリ力一ポネ一ト組成物 1 0 0重量部当り高級脂肪酸エステル 0. 0 1〜0. 5重量部をさらに含有してなる芳香族ポリカ一ポネート組成物。

1 7 . 高級脂肪酸エステルが高級脂肪族カルボン酸と多価アルコールの部分エステルである請求項 1 6の芳香族ポリ力一ポネート組成物。

18. 高級脂«カルボン酸が炭素数 12〜 24の飽和脂 J!雄モノカルボン酸でありそして多価アルコールがグリセリンである請求項 17の芳香族ポリカーポネ ―卜組成物。

19. 請求項 1〜 15のいずれかの芳香族ポリ力一ポネー卜組成物 100重量部当り立体障害フエノール系安定剤 0. 001〜10重量部をさらに含有してなる芳香族ポリカーボネー卜組成物。

20. 酸価が 0〜2 e qZt onである請求項 1に記載の芳香族ポリカーボネー卜組成物。

21. 300 °Cにおける溶融粘度変化率が 0. 5 %以下である請求項 1に記載の芳香族ポリカーポネ一ト組成物。

22. 請求項 1、 16または 19の芳香族ポリ力一ポネ一ト組成物からなる射出成形品。

23. ディスク基板である請求項 22に記載の射出成形品。